新闻展示-鸿镒电子有限公司

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。

在N和P通道配置中，该新型55V平面器件可作为标准和逻辑电平栅极驱动MOSFET来使用，提供的最大导通电阻 (Rds(on)) 低达8mΩ。TO-220 fullpak封装无需额外的绝缘硬件，所以能够简化设计和提高整体系统可靠性。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新MOSFET系列基于IR已被验证的平面技术，采用TO-220 fullpak封装，在线性模式和汽车应用中都表现良好，这其中需要坚固耐用且可靠的MOSFET来驱动高电感负载。”

所有IR车用MOSFET产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及100%自动晶圆级目视检查。AEC-Q101标准要求器件在经过1,000次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过20%。然而，经过延长测试后，IR的新AU物料单在5,000次温度循环时的最大导通电阻变化低于10%，体现了该物料单的高强度和耐用性。

新器件符合AEC-Q101标准，所采用的材料环保、不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

产品规格

标准栅极驱动

器件编号	封装	V_(BR)DSS(V)	10V_GS时的最大导通电阻(mΩ)	T_C为25°C 时的ID最大值(A)	10V_GS时的 Q_G典型值(nC)
AUIRFI3205	TO-220 FullPak	55	8.0	56	113
AUIRFIZ44N	TO-220 FullPak	55	24	28	43
AUIRFIZ34N	TO-220 FullPak	55	40	19	23
AUIRFI4905	TO-220 FullPak	-55	20	-74	120

逻辑电平栅极驱动

器件编号	封装	V_(BR)DSS(V)	4.5V_GS时的最大导通电阻(mΩ)	T_C为25°C时的ID最大值(A)	4.5V_GS时的Q_G典型值 (nC)
AUIRLI2505	TO-220 FullPak	55	8.0	58	130

新器件正接受批量订单。相关数据和认证标准，请浏览IR的网站www.irf.com，IR还根据客户需求提供Spice模型。

商标
IR® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

IR简介
国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。